快科技1月17日消息，蘋果的升級越來越看不懂了，iPhone 16系列要用速度更慢的QLC閃存。
據(jù)供應(yīng)鏈最新消息，蘋果可能會改變存儲容量，不再使用三層單元（TLC）NAND 閃存，而是在存儲容量達(dá)到或超過1TB的機(jī)型上使用四層單元（QLC）NAND閃存。
與TLC相比，QLC的優(yōu)勢在于每個(gè)存儲單元可以存儲四位數(shù)據(jù)，在使用相同數(shù)量的單元時(shí)比TLC儲存更多的數(shù)據(jù)，或者使用更少的單元儲存更多的數(shù)據(jù)，而這可以降低生產(chǎn)成本。
此外，QLC閃存被認(rèn)為不如TLC閃存可靠，寫入數(shù)據(jù)的耐久性會降低，因?yàn)槊總�(gè)單元寫入的次數(shù)更多，因?yàn)槊總�(gè)單元多包含一個(gè)位。
QLC NAND閃存可以存儲16種不同的電荷電平，而TLC僅能存儲8種電荷電平。讀取數(shù)據(jù)時(shí)，由于電荷量增加，裕量減少，這就有可能因噪聲增加而導(dǎo)致位錯(cuò)誤增加。
如果蘋果繼續(xù)執(zhí)行這一計(jì)劃，一些版本的iPhone 16 用戶可能會遇到數(shù)據(jù)寫入速度低于低容量用戶的情況。
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